CSD16411Q3 Texas Instruments
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16411Q3 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції CSD16411Q3 за ціною від 19.99 грн до 56.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V |
на замовлення 21114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16411Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |