CSD16415Q5T Texas Instruments
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 95.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16415Q5T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції CSD16415Q5T за ціною від 80.26 грн до 202.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Application: automotive industry Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
CSD16415Q5T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Application: automotive industry Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V |
товар відсутній |