CSD16556Q5B Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 66.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16556Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD16556Q5B за ціною від 59.91 грн до 159.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD16556Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V |
на замовлення 7169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16556Q5B | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET |
на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16556Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD16556Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16556Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |