CSD17309Q3 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.19 грн |
| 5000+ | 27.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17309Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CSD17309Q3 за ціною від 26.77 грн до 72.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17309Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
на замовлення 7237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD17309Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |