CSD17313Q2 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.78 грн |
| 6000+ | 9.85 грн |
| 9000+ | 9.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17313Q2 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CSD17313Q2 за ціною від 9.35 грн до 39.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 9660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
на замовлення 48721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
CSD17313Q2 Код товару: 126922 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |