CSD17318Q2T Texas Instruments
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 28.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17318Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V, Power Dissipation (Max): 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17318Q2T за ціною від 24.96 грн до 71.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150 |
на замовлення 5172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17318Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 16W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 16W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |