CSD17382F4T Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 23.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17382F4T Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17382F4T за ціною від 18.8 грн до 60.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V |
на замовлення 14010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 |
на замовлення 13102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17382F4T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 14.8A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 14.8A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 |
товар відсутній |