CSD17552Q5A Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.6 грн |
| 5000+ | 26.17 грн |
| 12500+ | 25.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17552Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17552Q5A за ціною від 24.31 грн до 71.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD17552Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V |
на замовлення 14939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17552Q5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17552Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD17552Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17552Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |