CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.02 грн |
6000+ | 4.62 грн |
9000+ | 4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: US2H, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V.
Інші пропозиції CUHS10F60,H3F за ціною від 5.39 грн до 34.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CUHS10F60,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CUHS10F60,H3F | Виробник : Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF |
на замовлення 23680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|