CY14B104LA-ZS25XI INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104LA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit, 25ns, 2.7V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - CY14B104LA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit, 25ns, 2.7V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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1+ | 3090.53 грн |
5+ | 2997.91 грн |
10+ | 2905.29 грн |
25+ | 2601.45 грн |
50+ | 2372.12 грн |
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Технічний опис CY14B104LA-ZS25XI INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104LA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit, 25ns, 2.7V bis 3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 512K x 8 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit / 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CY14B104LA-ZS25XI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Cypress Semiconductor | NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
товар відсутній |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
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CY14B104LA-ZS25XI | Виробник : Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM |
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