DB103G GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
10+ | 48.75 грн |
25+ | 39.42 грн |
100+ | 26.9 грн |
250+ | 21.77 грн |
500+ | 18.55 грн |
1000+ | 15.55 грн |
2500+ | 12.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB103G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції DB103G за ціною від 16.42 грн до 94.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DB103G | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140 |
на замовлення 6768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DB103-G | Виробник : Comchip Technology | Bridge Rectifiers VR=200V, IO=1A |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DB103G | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 200V 1A 4-Pin Case DB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DB103-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |