DB106-G Comchip Technology
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 439+ | 26.67 грн |
| 2250+ | 24.37 грн |
| 4500+ | 22.68 грн |
| 6750+ | 20.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB106-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції DB106-G за ціною від 13.62 грн до 38.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DB106-G | Виробник : Comchip Technology |
 Bridge Rectifiers VR=800V, IO=1A |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DB106-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DB106-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DB106G | Виробник : TI |
N/A DIP4 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DB106G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DB106G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DB106G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
DB106G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 1A Silicon |
товар відсутній |