DDA114EH-7

DDA114EH-7 Diodes Inc


1090719271394792ds30420.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDA114EH-7 Diodes Inc

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції DDA114EH-7 за ціною від 8.81 грн до 33.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.22 грн
12+ 24.9 грн
100+ 14.92 грн
500+ 12.96 грн
1000+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 10K
товар відсутній