Продукція > DIODES INCORPORATED > DDA114EU-7-F
DDA114EU-7-F

DDA114EU-7-F Diodes Incorporated

DDA_XXXX_U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5 грн
6000+ 4.6 грн
9000+ 3.98 грн
30000+ 3.66 грн
75000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDA114EU-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DDA114EU-7-F за ціною від 2.95 грн до 27.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Виробник : DIODES INC. DDA_XXXX_U.pdf Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.95 грн
112+ 6.7 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038996_1-2512817.pdf Digital Transistors DUAL PNP 200mW
на замовлення 67642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.25 грн
23+ 13.59 грн
100+ 5.54 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Виробник : DIODES INC. DDA_XXXX_U.pdf Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+23.97 грн
47+ 15.95 грн
112+ 6.7 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 32
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDA_XXXX_U.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 151044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 18.71 грн
100+ 9.45 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Виробник : Diodes Inc 129687115628597ds30346.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній