DDB6U85N16LHOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - DDB6U85N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.44 V, Brücke, Modul, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 650A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.44V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8390.95 грн |
| 5+ | 8206.72 грн |
| 10+ | 8022.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB6U85N16LHOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U85N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.44 V, Brücke, Modul, 6 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 650A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.44V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: eupec IsoPACK, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDB6U85N16LHOSA1 за ціною від 8448.27 грн до 8741.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE MOD GP 1600V 60A AGISOPACK Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: AG-ISOPACK-1 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE MOD GP 1600V 60A AGISOPACK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: AG-ISOPACK-1 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.44 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bridge Rectifier Diode Module |
товар відсутній |
|||||
 |
DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bridge Rectifier Diode Module |
товар відсутній |
|||||
| DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
DDB6U85N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers |
товар відсутній |
||||||
 |
DDB6U85N16LHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |