DDC114EU-7-F Diodes Inc
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDC114EU-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDC114EU-7-F за ціною від 2.06 грн до 28.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Type of transistor: NPN x2 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Type of transistor: NPN x2 кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 302780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 200mW |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |