DDC123JU-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 654000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.89 грн |
| 6000+ | 4.5 грн |
| 9000+ | 3.89 грн |
| 30000+ | 3.59 грн |
| 75000+ | 2.97 грн |
| 150000+ | 2.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDC123JU-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DDC123JU-7-F за ціною від 3.51 грн до 30.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDC123JU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDC123JU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors DUAL NPN 200mW |
на замовлення 31587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDC123JU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 654481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDC123JU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDC123JU-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DDC123JU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 100...600 Base-emitter resistor: 47kΩ Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DDC123JU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 100...600 Base-emitter resistor: 47kΩ Collector current: 0.1A |
товар відсутній |