DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3834.49 грн |
| 15+ | 3357.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DF200R07W2H3B77BPSA1 за ціною від 2961.42 грн до 4429.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF200R07W2H3B77BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005423521 |
товар відсутній |