DFE252012P-1R0M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 0.042OHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 42mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 0.042OHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 42mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.45 грн |
6000+ | 6.95 грн |
15000+ | 6.73 грн |
30000+ | 6.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012P-1R0M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012P-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.042ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 3.8A, RMS-Strom Irms: -, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012P, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DFE252012P-1R0M=P2 за ціною від 5.73 грн до 19.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012P-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.042ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520] usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 3.8A RMS-Strom Irms: - Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012P productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 56161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 0.042OHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 42mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.3A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.2 A |
на замовлення 54123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics | Power Inductors - SMD 1 UH 20% |
на замовлення 135835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata Manufacturing Co., Ltd. | 1,0 мкГн 1008 (2520) 20% |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
DFE252012P-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.2A 0.042Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |