Технічний опис DG2018DN-T1-E4 VISHAY
Description: IC SWITCH DPDT X 2 8OHM 16QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), On-State Resistance (Max): 8Ohm, -3db Bandwidth: 180MHz, Supplier Device Package: 16-QFN (3x3), Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V, Charge Injection: -2.46pC, Crosstalk: -72dB @ 1MHz, Switch Circuit: DPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm, Switch Time (Ton, Toff) (Max): 48ns, 33ns, Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF, Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA, Number of Circuits: 2.
Інші пропозиції DG2018DN-T1-E4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DG2018DN-T1-E4 | Виробник : Vishay |
 10+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DG2018DN-T1-E4 | Виробник : VISHAY |
QFN16 |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DG2018DN-T1-E4 | Виробник : VISHAY |
QFN-16 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
DG2018DN-T1-E4 | Виробник : Vishay |
Analog Switch Dual DPDT 16-Pin QFN T/R |
товар відсутній |
|
 |
DG2018DN-T1-E4 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DPDT X 2 8OHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 8Ohm -3db Bandwidth: 180MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Charge Injection: -2.46pC Crosstalk: -72dB @ 1MHz Switch Circuit: DPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 48ns, 33ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Number of Circuits: 2 |
товар відсутній |