DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.54 грн |
10+ | 86.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 29A, Power dissipation: 166W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 26ns, Turn-off time: 200ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DG20X06T2 за ціною від 98.23 грн до 177.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG20X06T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 29A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Turn-on time: 26ns Turn-off time: 200ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DG20X06T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 MSL: - Verlustleistung: 313 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|