DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 36ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.46 грн |
| 3+ | 226.51 грн |
| 5+ | 181.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 573W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG25X12T2 за ціною від 205.35 грн до 353.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DG25X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247 Kind of package: tube Turn-off time: 362ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 348W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.19µC Mounting: THT Case: TO247 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Turn-on time: 36ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DG25X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 573W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|