DGD1503S8-13

DGD1503S8-13 DIODES INC.


DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.49 грн
500+ 28.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD1503S8-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції DGD1503S8-13 за ціною від 30.21 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.48 грн
13+ 60.06 грн
50+ 53.95 грн
100+ 44.42 грн
250+ 38.96 грн
500+ 36.85 грн
1000+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009027113_1-2512823.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
10+ 63.48 грн
100+ 47.36 грн
500+ 42.58 грн
1000+ 34.87 грн
2500+ 31.15 грн
5000+ 30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Виробник : Diodes Inc dgd1503.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DGD1503S8-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD1503.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD1503.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD1503.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DGD1503S8-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD1503.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товар відсутній