DHG100X1200NA IXYS
Виробник: IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Type of module: diode
Technology: Sonic FRD™
Max. forward voltage: 2.97V
Load current: 50A x2
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2152.41 грн |
| 2+ | 1890.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DHG100X1200NA IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.16 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DHG100X1200NA за ціною від 2355.45 грн до 2582.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DHG100X1200NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Technology: Sonic FRD™ Max. forward voltage: 2.97V Load current: 50A x2 Max. forward impulse current: 0.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||
 |
DHG100X1200NA | Виробник : IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.16 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
DHG100X1200NA | Виробник : IXYS |
Rectifiers 100 Amps 1200V |
товар відсутній |