DI020P06PT

DI020P06PT Diotec Semiconductor


di020p06pt.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI020P06PT Diotec Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8, Mounting: SMD, Case: QFN8, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -70A, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -20A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 29.7W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DI020P06PT за ціною від 25.45 грн до 67.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt.pdf Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.88 грн
10+ 53.62 грн
100+ 41.72 грн
500+ 33.19 грн
1000+ 27.03 грн
2000+ 25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt.pdf P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET
товар відсутній
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di020p06pt.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8
Mounting: SMD
Case: QFN8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 29.7W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt-2936298.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P
товар відсутній
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di020p06pt.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8
Mounting: SMD
Case: QFN8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 29.7W
товар відсутній