DI050N06D1

DI050N06D1 Diotec Semiconductor


Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.94 грн
10+ 38.94 грн
100+ 26.94 грн
500+ 21.12 грн
1000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI050N06D1 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DI050N06D1 за ціною від 16.34 грн до 63.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.17 грн
14+ 25.04 грн
25+ 22.6 грн
47+ 17.32 грн
128+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.81 грн
9+ 31.2 грн
25+ 27.12 грн
47+ 20.78 грн
128+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
товар відсутній
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
товар відсутній