Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI100N10PQ
DI100N10PQ

DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di100n10pq.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.22 грн
6+ 68.5 грн
16+ 52.59 грн
25+ 51.9 грн
43+ 49.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DI100N10PQ за ціною від 49.95 грн до 227.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di100n10pq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.47 грн
5+ 85.36 грн
16+ 63.1 грн
25+ 62.27 грн
43+ 58.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET, 100V, 100A, 250W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+226.47 грн
2500+ 170.03 грн
5000+ 115.51 грн
10000+ 107.49 грн
Мінімальне замовлення: 1250
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf di100n10pq.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.84 грн
10+ 175.7 грн
100+ 91.67 грн
500+ 90.34 грн
1000+ 87.68 грн
2500+ 77.05 грн
5000+ 49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf di100n10pq.pdf MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W
товар відсутній
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній