Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIT100N10
DIT100N10

DIT100N10 Diotec Semiconductor

dit100n10.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIT100N10 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DIT100N10 за ціною від 41.59 грн до 195.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DIT100N10 DIT100N10 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR dit100n10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.11 грн
10+ 51.46 грн
18+ 45.2 грн
50+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT100N10 DIT100N10 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR dit100n10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.66 грн
10+ 61.75 грн
18+ 54.24 грн
50+ 50.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
DIT100N10 DIT100N10 Виробник : Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.22 грн
50+ 85.75 грн
100+ 67.94 грн
500+ 54.05 грн
1000+ 44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DIT100N10 DIT100N10 Виробник : Diotec Semiconductor dit100n10.pdf MOSFET MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.5 грн
10+ 150.48 грн
100+ 60.75 грн
500+ 60.29 грн
1000+ 48.07 грн
2500+ 44.4 грн
5000+ 41.59 грн
Мінімальне замовлення: 2