DMP1011UCB9-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.16 грн |
| 6000+ | 19.31 грн |
| 9000+ | 17.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1011UCB9-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 890mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890mW, Bauform - Transistor: U-WLB1515, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DMP1011UCB9-7 за ціною від 19.56 грн до 67.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP1011UCB9-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 890mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1011UCB9-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V |
на замовлення 15039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1011UCB9-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP1011UCB9-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 890mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: U-WLB1515 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W Mounting: SMD Power dissipation: 1.57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -50A Case: U-WLB1515-9 Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W Mounting: SMD Power dissipation: 1.57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -50A Case: U-WLB1515-9 Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |