DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated


DMP1046UFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DMP1046UFDB-13 за ціною від 6.68 грн до 34.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP1046UFDB-13 DMP1046UFDB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP1046UFDB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
12+ 23.78 грн
100+ 14.28 грн
500+ 12.41 грн
1000+ 8.44 грн
2000+ 7.77 грн
5000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-13 DMP1046UFDB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP1046UFDB.pdf MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 77012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.74 грн
12+ 26.79 грн
100+ 12.48 грн
1000+ 8.14 грн
2500+ 7.81 грн
10000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1046UFDB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1046UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1046UFDB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP1046UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній