DMP1055USW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.22 грн |
| 6000+ | 6.66 грн |
| 9000+ | 6 грн |
| 30000+ | 5.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP1055USW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMP1055USW-7 за ціною від 5.94 грн до 27.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP1055USW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1055USW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss |
на замовлення 3613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP1055USW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.03W Polarisation: unipolar Gate charge: 20.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMP1055USW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.03W Polarisation: unipolar Gate charge: 20.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V |
товар відсутній |