на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP10H400SE-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm.
Інші пропозиції DMP10H400SE-13 за ціною від 11.16 грн до 39.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V |
на замовлення 272500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 222500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V |
на замовлення 275576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A |
на замовлення 19313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |