DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 2952000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.04 грн |
| 6000+ | 5.69 грн |
| 9000+ | 5.04 грн |
| 30000+ | 4.67 грн |
| 75000+ | 3.96 грн |
| 150000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції DMP10H4D2S-7 за ціною від 4.01 грн до 32.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP10H4D2S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: -210mA On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.38W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -100V |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 24640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: -210mA On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.38W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -100V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V |
на замовлення 2957758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF |
на замовлення 205709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 24640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |