DMP2006UFG-13 Diodes Incorporated
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2006UFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2.3W, Case: PowerDI®3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 200nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMP2006UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2006UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMP2006UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC |
товар відсутній |
|
| DMP2006UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |