на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.19 грн |
| 10+ | 52.56 грн |
| 100+ | 35.54 грн |
| 500+ | 30.19 грн |
| 1000+ | 24.57 грн |
| 2000+ | 23.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2006UFGQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 200nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції DMP2006UFGQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2006UFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMP2006UFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
товар відсутній |
|
| DMP2006UFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |