DMP2010UFG-7

DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated


DMP2010UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2010UFG-7 за ціною від 19.56 грн до 59.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2010UFG-7 DMP2010UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2010UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
10+ 49.86 грн
100+ 38.21 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2010UFG-7 DMP2010UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2010UFG.pdf MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.43 грн
10+ 52.44 грн
100+ 31.11 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 22.1 грн
2000+ 19.96 грн
4000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2010UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2010UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2010UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2010UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній