на замовлення 8508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.94 грн |
10+ | 37.7 грн |
100+ | 22.77 грн |
500+ | 17.83 грн |
1000+ | 14.49 грн |
3000+ | 11.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -40A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 103nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMP2010UFV-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DMP2010UFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
DMP2010UFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |