DMP2018LFK-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.94 грн |
| 6000+ | 9.09 грн |
| 9000+ | 8.44 грн |
| 30000+ | 7.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2018LFK-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA, Supplier Device Package: U-DFN2523-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2018LFK-7 за ціною від 8.19 грн до 32.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2018LFK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V |
на замовлення 35438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2018LFK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K |
на замовлення 143219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|