на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.07 грн |
| 10+ | 58.5 грн |
| 100+ | 35.18 грн |
| 500+ | 29.44 грн |
| 1000+ | 25.04 грн |
| 2500+ | 22.3 грн |
| 5000+ | 21.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2022LSSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -7.4A, Pulsed drain current: -35A, Power dissipation: 1.6W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 22mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 60.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMP2022LSSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2022LSSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|
|
|
DMP2022LSSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |