на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2035UTS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP2035UTS-13 за ціною від 9.63 грн до 44.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2035UTS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET P-CHAN |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 24211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2035UTS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2035UTS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| DMP2035UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: 3.96A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 0.89W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common drain Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMP2035UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: 3.96A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 0.89W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common drain Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |