DMP2036UVT-13 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2036UVT-13 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 20.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -40A, Case: TSOT26, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -5A, On-state resistance: 58mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 10000 шт.

Інші пропозиції DMP2036UVT-13 за ціною від 7.18 грн до 7.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2036UVT-13 Виробник : Diodes Zetex dmp2036uvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2036UVT-13 Виробник : Diodes Inc dmp2036uvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-13 DMP2036UVT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2036UVT-13 DMP2036UVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007324766_1-2542939.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2036UVT-13 DMP2036UVT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній