DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.52 грн |
| 13+ | 23.47 грн |
| 100+ | 15.26 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.24 грн |
| 3000+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6, Case: U-DFN2020-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -25V, Drain current: -5.4A, On-state resistance: 40mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.8W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMP2039UFDE-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2039UFDE-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|
| DMP2039UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -5.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMP2039UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN |
товар відсутній |
|
|
|
DMP2039UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN |
товар відсутній |
|
| DMP2039UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -5.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |