Продукція > DIODES ZETEX > DMP2039UFDE4-7
DMP2039UFDE4-7

DMP2039UFDE4-7 Diodes Zetex


dmp2039ufde4.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2039UFDE4-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 690mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMP2039UFDE4-7 за ціною від 11.7 грн до 44.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2039UFDE4.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.8 грн
6000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS14622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.34 грн
500+ 18.51 грн
1000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2039UFDE4.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.58 грн
10+ 31.24 грн
100+ 21.72 грн
500+ 15.92 грн
1000+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS14622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.98 грн
20+ 37.64 грн
100+ 25.34 грн
500+ 18.51 грн
1000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462
DMP2039UFDE4.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : Diodes Zetex dmp2039ufde4.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : Diodes Inc dmp2039ufde4.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2039UFDE4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2039UFDE4.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2039UFDE4.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
товар відсутній