DMP2047UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.78 грн |
| 10+ | 37.97 грн |
| 100+ | 29.1 грн |
| 500+ | 21.59 грн |
| 1000+ | 17.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2047UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1010-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2047UCB4-7 за ціною від 11.98 грн до 45.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch ENH Mode FET -20V -6 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W Mounting: SMD Case: U-WLB1010-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -16A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.2A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.66W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMP2047UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1010-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP2047UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W Mounting: SMD Case: U-WLB1010-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -16A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.2A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.66W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V |
товар відсутній |