на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2100UFU-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP2100UFU-7 за ціною від 9.05 грн до 22.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2100UFU-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2100UFU-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W |
на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2100UFU-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Power dissipation: 0.9W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2100UFU-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Power dissipation: 0.9W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2100UFU-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DMP2100UFU-7 | Виробник : Diodes Inc |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2100UFU-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |