Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT4002LPS-13
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated

DMT4002LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 265000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.85 грн
5000+ 39.3 грн
12500+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT4002LPS-13 за ціною від 36.73 грн до 118.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.59 грн
500+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.91 грн
10+ 80.48 грн
100+ 62.59 грн
500+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT4002LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.47 грн
10+ 81.65 грн
100+ 63.49 грн
500+ 50.5 грн
1000+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT4002LPS.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.57 грн
10+ 93.96 грн
100+ 64.57 грн
500+ 58.59 грн
1000+ 42.58 грн
2500+ 38.59 грн
5000+ 36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Виробник : Diodes Inc 1627dmt4002lps.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4002LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT4002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT4002LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT4002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товар відсутній