Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6002LPS-13
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated

DMT6002LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.01 грн
5000+ 50.05 грн
12500+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT6002LPS-13 за ціною від 49.55 грн до 128.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.26 грн
500+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.32 грн
10+ 93.89 грн
100+ 75.26 грн
500+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6002LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120 грн
10+ 95.83 грн
100+ 76.25 грн
500+ 60.55 грн
1000+ 51.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6002LPS.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.64 грн
10+ 105.42 грн
100+ 73.07 грн
250+ 67.09 грн
500+ 60.91 грн
1000+ 52.21 грн
2500+ 49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT6002LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
On-state resistance: 3mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT6002LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
On-state resistance: 3mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 130.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 400A
товар відсутній