на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNBT8105-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DNBT8105-7 за ціною від 1.98 грн до 21.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 3234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.6W Polarisation: bipolar Frequency: 150MHz |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.6W Polarisation: bipolar Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1A |
на замовлення 219751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 3237991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |