Продукція > DIODES INCORPORATED > DRDNB16W-7
DRDNB16W-7

DRDNB16W-7 Diodes Incorporated

ds30573.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.64 грн
6000+ 6.13 грн
9000+ 5.52 грн
30000+ 5.1 грн
75000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DRDNB16W-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DRDNB16W-7 за ціною від 5.61 грн до 29.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011844660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.08 грн
500+ 9.53 грн
1000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30573.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 99553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
16+ 18.36 грн
100+ 11.03 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30573.pdf Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
на замовлення 9566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
17+ 18.89 грн
100+ 9.68 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.74 грн
24000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011844660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.58 грн
34+ 22.47 грн
100+ 11.08 грн
500+ 9.53 грн
1000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Inc ds30573.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 600mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній