DST847BPDP6-7

DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz, 340MHz
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 170000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.48 грн
30000+ 4.23 грн
50000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DST847BPDP6-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 340MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DST847BPDP6-7 за ціною від 4.27 грн до 39.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013030738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DST847BPDP6-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 340MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.68 грн
500+ 9.04 грн
1000+ 6.41 грн
2500+ 5.03 грн
5000+ 4.72 грн
10000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz, 340MHz
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
14+ 20.31 грн
100+ 10.24 грн
500+ 7.84 грн
1000+ 5.82 грн
2000+ 4.9 грн
5000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0013030738_1-2513181.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS COMP
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 393-402 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.95 грн
13+ 24.57 грн
100+ 12.15 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.21 грн
2500+ 4.87 грн
10000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013030738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DST847BPDP6-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 340MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.09 грн
26+ 28.98 грн
100+ 14.68 грн
500+ 9.04 грн
1000+ 6.41 грн
2500+ 5.03 грн
5000+ 4.72 грн
10000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : Diodes Inc dst847bpdp6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
DST847BPDP6-7 DST847BPDP6-7 Виробник : Diodes Zetex dst847bpdp6.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній